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                斬波電路IGBT模塊損耗計算

                IGBT模塊損耗:
                IGBT模塊
                IGBT:
                通態損耗
                開關損耗(開通損耗EON、關斷損耗EOFF)
                FWD:
                通態損耗
                開關(反向恢復)損耗 ERR
                斬波電路平均損耗的計算:
                斬波電路平均損耗的計算
                平均損耗計算范例
                PRHMB100B12, Vcc=600V, Ic=100A, RG=10Ω,VGE=±15V, f=10kHz, 導通比 :3:1
                通態損耗 : 100(A)×2.2*1(V)×3/4=160(W)
                開通損耗 : 9.5(mJ)×10(kHz)=95(W)
                關斷損耗 : 9.5(mJ)×10(kHz)=95(W)
                IGBT 損耗合計 : 350(W)
                通態損耗 : 100(A)×1.9*2(V)×1/4=47.5(W)
                開關(反向恢復)損耗 : 8.5(mJ)×10(kHz)=85(W)
                FWD 損耗合計 : 132.5(W)
                模塊損耗合計 482.5(W)
                *1 Ic=100A, TJ=125℃時的集電極-發射極之間的飽和壓降
                *2 IF=100A, TJ=125℃ 時的FWD正向電壓
                相對于外殼溫度的結溫上升:
                相對于外殼溫度的結溫上升
                相對于環境溫度、散熱片溫度的外殼溫度上升:
                接觸熱阻 Rth(c-f),散熱片熱阻 Rth(f-a)
                相對于環境溫度、散熱片溫度的外殼溫度上升
                外殼溫度和散熱片/周圍溫度的差距
                Tc-Tf                       Rth(c-f)×482.5
                Tf-Ta                       Rth(f-a)×482.5

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