IGBT模塊吸收電容參數(shù)設計

IGBT模塊采用吸收電路時，典型的關斷電壓波形如下圖所示。從圖中可以看出，初始浪涌電壓△U1之后，隨著吸收電容充電，瞬態(tài)電壓再次上升。第二次上升峰值△U2是吸收電容和母線寄生電感的函數(shù)。為確定△U2的數(shù)量級，可以用能量守恒定律獲得下式：文章來源：http://www.xudaoyu.cn/il/238.html

式中：Lp為母線寄生電感；ic為功率器件的工作電流；C為吸收電容值；△U2為吸收電壓峰值。若給△U2設定限值，那么便能按下式進行計算。

下表給出了三菱公司針對H系列IGBT推薦的吸收電路設計值，實驗證明也適用于其他公司的IGBT。使用下表的兩個設定條件是： 1）吸收電路處理的最大電流為該模塊的額定電流Ic，對短路時發(fā)生的過大電流已采用降低柵極發(fā)射極電壓U_GE、鉗位U_GE等辦法加以限制。
2）按C型緩沖電路設計的緩沖電容Cs值，是以△U2=100V計算出來的。
根據(jù)前面的選擇，對于額定電流為300A的主功率開關器件，從表中的推薦值可以得出吸收電容的值應該是0.47uF�？紤]到該推薦值為采用RC吸收網(wǎng)絡時的選擇值，對于吸收電容直接并接在每個功率開關器件兩側(cè)的情況，該吸收電容的選擇值還可以比這個值小。大功率IGBT電路需要極低電感量的吸收電路，故吸收電容要選擇無感電容。
吸收網(wǎng)絡中元件的特性是非常重要的。由于電流變化率非常大，吸收電路及其元件內(nèi)部很小的寄生電感現(xiàn)象幾乎可以使網(wǎng)絡完全失效。為了減小寄生電感，在設計中應注意以下幾點。
  ①直流母線要盡量地短。
  ②緩沖吸收電路要盡量貼近IGBT。
  ③選用無感的突波電容及與IGBT相匹配的快速緩沖二極管。