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                CREE Sic MOSFET

                科銳(Cree)發布第二代碳化硅MOSFET,相比硅材料的解決方案,它可以使系統變得更小,效率更高。在相同的功率密度和開關效率的條件下,比科銳(Cree)第一代MOSFET產品每安培成本下降一半。從這個角度說,它可以降低OEM的系統成本,終端用戶的能耗和安裝運輸成本。

                第二代碳化硅MOSFET具有高開關速度低寄生電容,高阻斷電壓低導通電阻正溫度系數,易于并聯,驅動簡單等特點,廣泛用于光伏,開關電源,高壓DCDC變換器,電機驅動等領域;

                目前,科銳(Cree)發布的碳化硅MOSFET電壓等級有1200V,1700V,單管型號的導通電阻分別為25mΩ,40mΩ,80mΩ,160mΩ,280mΩ,1Ω;同時科銳(Cree)還發布的碳化硅MOSFET模塊,詳細情況請聯系我們。

                1700-V 1200-V SiC MOSFET Packaged 1200-V SiC MOSFET Die
                Packaged Die
                C2M1000170D New! CPM2-1200-0025B
                C2M0080120D CPM2-1200-0080B
                C2M0160120D New! CPMF-1200-S080B
                CMF10120D CPMF-1200-S160B
                CMF20120D  
                C2M0025120D  
                C2M0040120D  
                C2M0280120D  
                C2M1000170D

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